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在半导体制造追求极致纯净与国产化的征途中，莱伯泰科正以全产业链的深度布局，书写着从“样品前处理”到“核心检测仪器”国产替代的新篇章。
继上一期锂电行业方案收获热烈反响后，本期我们将目光聚焦于电子工业“皇冠上的明珠”——半导体行业。
从环境到检测：莱伯泰科半导体整体解决方案
半导体制造对杂质的控制已达到PPT（万亿分之一）级别，任何微小的金属离子污染都可能导致芯片报废。莱伯泰科凭借深厚的无机分析功底，为半导体全产业链（硅材料、湿电子化学品、光刻胶、抛光液等）提供了一套全流程、一站式的检测方案。
守护纯净的“基石”：超净实验室建设与百级进样柜
痕量分析的前提是环境的纯净。莱伯泰科提供专业的超净实验室整体建设方案，从整体规划、净化系统到抗腐蚀通风柜，确保检测环境满足极高标准。特别是专为半导体设计的百级进样柜，提供可靠的无污染低本底的局部前处理环境，可以局部实现百级或十级，进一步避免环境对样品沾污，为超痕量分析奠定了坚实的背景基础。
效率与精准的“保障”：电热消解设备
针对半导体材料复杂的基质，莱伯泰科的电热消解设备采用高纯防腐材料，精准控温。在处理高纯石英砂、电子级多晶硅等样品时，确保了极高的消解效率和重复性。
国产替代的“硬核”核心：ICP-MS 与ICP-MS/MS
这是莱伯泰科在半导体领域实现“从0到1”突破的关键阵地：
LabMS 3000 ICP-MS：打破国外垄断，率先实现国产ICP-MS 在半导体头部企业芯片生产线端的验证与应用，具有高性能冷等离子体、专利接口、加强型离子透镜系统、完善可靠的EMO 及Interlock 等安全配置，应用于分析成熟制程中硅片和低纯度材料等样品的痕量杂质元素污染。
LabMS 5000 ICP-MS/MS：作为旗舰级产品，两套高性能四极杆质量分析器结合新一代轴向加速六极杆碰撞反应池提供了强大的干扰去除能力，叠加高性能冷等离子体，LabMS 5000提供了超低的背景等效浓度和优异的检测限，能够轻松应对先进制程中硅片、湿电子化学品、高纯PFA、CMP 抛光液等高纯度材料中的超痕量元素分析。
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跨越封锁，实绩见证：我们的“半导体成绩单”
莱伯泰科不仅在实验室里做研究，更在生产一线解决难题。目前，我们的解决方案已在以下领域实现安装并投入使用：
头部企业入驻：莱伯泰科ICP-MS已成功进入我国多家芯片制造、湿电子化学品和面板头部生产企业，直接服务于生产线质量控制。
产学研深度融合：莱伯泰科ICP-MS及前处理设备已入驻清华大学、中国科学院等顶尖科研机构的半导体研究室，助力国家基础学科攻关。
全链条覆盖：从多晶硅基体金属杂质检测、湿电子化学品监测到硅片表面金属离子在线监测，莱伯泰科助力客户实现从原料进厂到成品出厂的全生命周期质量把控。
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选择莱伯泰科，用全链条方案为您保驾护航
在半导体产业链“自主可控”的时代背景下，国产替代不再是一句口号，而是实实在在的技术跨越。莱伯泰科将继续以核心技术为驱动，通过“设备+服务+方案”的多维矩阵，助力中国半导体产业跨越重重干扰，预见“微”观未来！
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案例分享（一）：
《LabMS 5000 ICP-MS/MS分析高纯硫酸中痕量杂质元素》
方案简介：
近年来，随着半导体行业的快速发展，对超纯化学品的需求也在不断增加。高纯硫酸在半导体制造过程中起着至关重要的作用，其纯度直接影响到半导体器件的性能和良率。为了确保硫酸的纯度，必须对其中的杂质元素进行精确的分析和控制。
本报告验证了LabMS 5000使用多种干扰消除模式对高纯硫酸进行分析，各种杂质元素均能达到ppt及亚ppt级别的检出限，满足高纯硫酸中痕量杂质元素分析需求。
仪器配置：
采用半导体配置的LabMS 5000 ICP-MS/MS，仪器配置高纯PFA微流雾化器、PFA Scott双通道雾化室、石英炬管、2.0mm铂中心管、铂锥。
检测结果：
图1 9.8%硫酸中Ti、V、Cr、Zn、Ge的标准曲线
表1 9.8%硫酸中杂质元素测试结果
结论：
LabMS 5000标配的屏蔽炬系统可有效消除等离子体电势，消除二次放电，使仪器在高功率常规分析状态以及低功率冷等离子体分析状态均具有优异的系统稳定性；两套四极杆质量过滤器结合新一代轴向加速六极杆碰撞反应池, 提供了受控且可靠的干扰去除能力，为痕量元素分析提供了强有力的工具。
LabMS 5000具有多种干扰消除模式，可根据不同应用需求灵活选择，针对不同元素优化最适宜的分析模式。在一个方法中使用7种分析模式测试9.8%硫酸中38 种痕量杂质元素，背景等效浓度（BEC）在ppt及亚ppt级别，50ppt加标样品回收率在90%～110%之间，验证了仪器能够准确测定高纯硫酸中痕量杂质元素含量。
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案例分享（二）：
《使用莱伯泰科ICP-MS测定硅片表面金属元素含量》
方案简介：
硅片是半导体制造业的基础材料，硅片表面极其少量的杂质元素污染都可能导致器件的功能丧失或可靠性变差。随着半导体工艺制程的不断缩小，对杂质元素污染的控制也越来越严格。
莱伯泰科拥有LabMS 3000单四极杆ICP-MS及LabMS 5000串联四极杆ICP-MS/MS，适用于测定不同尺寸硅片表面金属元素含量；两款仪器均能够与国内及国外先进的全自动金属污染提取设备（VPD系统）集成，实现对硅片表面金属污染的全自动分析。
检测结果：
表1 LabMS 3000s单机检测6寸硅片的检测结果
表2 LabMS 5000单机检测12寸bare wafer的检测结果
12寸硅片自动提取检测结果：
集成LabMS 3000s及LabMS 5000的国内及国外品牌的全自动金属污染提取设备（VPD系统）已在多家Fab工厂运行多年。表3和表4分别为某Fab内集成LabMS 3000s ICP-MS和LabMS 5000ICP-MS/MS的全自动硅片表面污染检测设备自动提取检测12寸bare wafer的检测数据，满足成熟制程或先进制程需求。
表3 LabMS 3000s在线检测12 寸bare wafer 的检测数据（＜2E8）
表4 LabMS 5000在线检测12寸bare wafer的检测数据（＜5E7）
对于晶圆制造工厂（Fab）而言，要求检测设备24h不间断安全稳定运行。图1显示了某Fab内集成LabMS 3000s ICP-MS的全自动硅片表面污染检测设备，LabMS 3000s使用一条标准曲线在20天内随机测试不同wafer，监控QC（250ppt 混标）的稳定性，回收率基本在80%～120%范围内，表现了优异的长期稳定性。
图1 12寸硅片在线检测QC长期稳定性-LabMS 3000s ICP-MS
图2显示了某Fab内集成LabMS 5000 ICP-MS/MS的全自动硅片表面污染检测设备，LabMS 5000使用一条标准曲线在20 天内随机测试不同wafer，监控QC（100ppt 混标）的稳定性，回收率基本在80%～120%范围内，表现了优异的长期稳定性。
图2 12寸硅片在线检测QC长期稳定性-LabMS 5000 ICP-MS/MS
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